O Epitaxy Wafer Carrier é um componente crítico na produção de semicondutores, especialmente emSi EpitaxiaeEpitaxia SiCprocessos. A Semicera projeta e fabrica cuidadosamenteBolachaTransportadores para suportar temperaturas extremamente altas e ambientes químicos, garantindo excelente desempenho em aplicações comoSusceptor de MOCVDe Susceptor de Barril. Quer se trate da deposição de silício monocristalino ou de processos complexos de epitaxia, o Epitaxy Wafer Carrier da Semicera oferece excelente uniformidade e estabilidade.
de SemíceraTransportador de Wafer Epitaxiaé feito de materiais avançados com excelente resistência mecânica e condutividade térmica, o que pode efetivamente reduzir perdas e instabilidade durante o processo. Além disso, o design doBolachaA Carrier também pode se adaptar a equipamentos epitaxiais de diferentes tamanhos, melhorando assim a eficiência geral da produção.
Para clientes que exigem processos de epitaxia de alta precisão e alta pureza, o Epitaxy Wafer Carrier da Semicera é uma escolha confiável. Estamos sempre comprometidos em fornecer aos clientes produtos de excelente qualidade e suporte técnico confiável para ajudar a melhorar a confiabilidade e a eficiência dos processos de produção.
✓Qualidade superior no mercado chinês
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Susceptor de Crescimento Epitaxia
Os wafers de silício/carboneto de silício precisam passar por vários processos para serem usados em dispositivos eletrônicos. Um processo importante é a epitaxia de silício/sic, na qual wafers de silício/sic são transportados sobre uma base de grafite. As vantagens especiais da base de grafite revestida com carboneto de silício da Semicera incluem pureza extremamente alta, revestimento uniforme e vida útil extremamente longa. Eles também possuem alta resistência química e estabilidade térmica.
Produção de chips LED
Durante o extenso revestimento do reator MOCVD, a base ou transportador planetário move o wafer do substrato. O desempenho do material base tem grande influência na qualidade do revestimento, o que por sua vez afeta a taxa de refugo do cavaco. A base revestida de carboneto de silício da Semicera aumenta a eficiência de fabricação de wafers de LED de alta qualidade e minimiza o desvio de comprimento de onda. Também fornecemos componentes adicionais de grafite para todos os reatores MOCVD atualmente em uso. Podemos revestir quase qualquer componente com um revestimento de carboneto de silício, mesmo que o diâmetro do componente seja de até 1,5M, ainda podemos revestir com carboneto de silício.
Campo Semicondutor, Processo de Difusão de Oxidação, etc.
No processo de semicondutores, o processo de expansão por oxidação requer alta pureza do produto, e na Semicera oferecemos serviços de revestimento personalizado e CVD para a maioria das peças de carboneto de silício.
A imagem a seguir mostra a pasta de carboneto de silício processada em bruto de Semicea e o tubo do forno de carboneto de silício que é limpo no 1000-nívellivre de poeirasala. Nossos trabalhadores estão trabalhando antes do revestimento. A pureza do nosso carboneto de silício pode chegar a 99,98% e a pureza do revestimento sic é superior a 99,9995%.
Pá de carboneto de silício bruto e tubo de processo SiC na limpeza
Barco de bolacha de carboneto de silício CVD SiC revestido
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Cabeça de chuveiro SiC de carboneto de silício
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Transportador de wafer de carboneto de silício (SiC)
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Portadores de wafer com revestimento de carboneto de silício (SiC)
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Processo revestido com SiC para base de grafite SiC Coated...
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Susceptor de grafite revestido com SiC
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Reator Epitaxial Revestido com SiC de Alta Temperatura B...