Os anéis de carboneto de silício CVD (SiC) oferecidos pela Semicera são componentes-chave na gravação de semicondutores, um estágio vital na fabricação de dispositivos semicondutores. A composição desses anéis de carboneto de silício CVD (SiC) garante uma estrutura robusta e durável que pode suportar as condições adversas do processo de gravação. A deposição química de vapor ajuda a formar uma camada de SiC densa, uniforme e de alta pureza, conferindo aos anéis excelente resistência mecânica, estabilidade térmica e resistência à corrosão.
Como um elemento-chave na fabricação de semicondutores, os anéis de carboneto de silício CVD (SiC) atuam como uma barreira protetora para proteger a integridade dos chips semicondutores. Seu design preciso garante gravação uniforme e controlada, o que auxilia na fabricação de dispositivos semicondutores altamente complexos, proporcionando melhor desempenho e confiabilidade.
A utilização de material CVD SiC na construção dos anéis demonstra um compromisso com a qualidade e o desempenho na fabricação de semicondutores. Este material possui propriedades únicas, incluindo alta condutividade térmica, excelente inércia química e resistência ao desgaste e à corrosão, tornando os anéis de carboneto de silício CVD (SiC) um componente indispensável na busca por precisão e eficiência em processos de gravação de semicondutores.
O anel CVD de carboneto de silício (SiC) da Semicera representa uma solução avançada no campo da fabricação de semicondutores, usando as propriedades exclusivas do carboneto de silício depositado em vapor químico para obter processos de gravação confiáveis e de alto desempenho, promovendo o avanço contínuo da tecnologia de semicondutores. Temos o compromisso de fornecer aos clientes produtos excelentes e suporte técnico profissional para atender à demanda da indústria de semicondutores por soluções de gravação eficientes e de alta qualidade.
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Susceptor de Crescimento Epitaxia
Os wafers de silício/carboneto de silício precisam passar por vários processos para serem usados em dispositivos eletrônicos. Um processo importante é a epitaxia de silício/sic, na qual wafers de silício/sic são transportados sobre uma base de grafite. As vantagens especiais da base de grafite revestida com carboneto de silício da Semicera incluem pureza extremamente alta, revestimento uniforme e vida útil extremamente longa. Eles também possuem alta resistência química e estabilidade térmica.
Produção de chips LED
Durante o extenso revestimento do reator MOCVD, a base ou transportador planetário move o wafer do substrato. O desempenho do material base tem grande influência na qualidade do revestimento, o que por sua vez afeta a taxa de refugo do cavaco. A base revestida de carboneto de silício da Semicera aumenta a eficiência de fabricação de wafers de LED de alta qualidade e minimiza o desvio de comprimento de onda. Também fornecemos componentes adicionais de grafite para todos os reatores MOCVD atualmente em uso. Podemos revestir quase qualquer componente com um revestimento de carboneto de silício, mesmo que o diâmetro do componente seja de até 1,5M, ainda podemos revestir com carboneto de silício.
Campo Semicondutor, Processo de Difusão de Oxidação, etc.
No processo de semicondutores, o processo de expansão por oxidação requer alta pureza do produto, e na Semicera oferecemos serviços de revestimento personalizado e CVD para a maioria das peças de carboneto de silício.
A imagem a seguir mostra a pasta de carboneto de silício processada em bruto de Semicea e o tubo do forno de carboneto de silício que é limpo no 1000-nívellivre de poeirasala. Nossos trabalhadores estão trabalhando antes do revestimento. A pureza do nosso carboneto de silício pode chegar a 99,99% e a pureza do revestimento sic é superior a 99,99995%.
Pá de carboneto de silício bruto e tubo de processo SiC na limpeza
Barco de bolacha de carboneto de silício CVD SiC revestido
