Introdução ao revestimento de carboneto de silício
Nosso revestimento de carboneto de silício (SiC) de deposição química de vapor (CVD) é uma camada altamente durável e resistente ao desgaste, ideal para ambientes que exigem alta resistência térmica e à corrosão.Revestimento de carboneto de silícioé aplicado em camadas finas sobre diversos substratos através do processo CVD, oferecendo características de desempenho superiores.
Principais recursos
● -Pureza excepcional: Apresentando uma composição ultrapura de99,99995%, nossoRevestimento de SiCminimiza os riscos de contaminação em operações sensíveis de semicondutores.
● -Resistência Superior: Apresenta excelente resistência ao desgaste e à corrosão, tornando-o perfeito para ambientes químicos e de plasma desafiadores.
● -Alta Condutividade Térmica: Garante um desempenho confiável sob temperaturas extremas devido às suas excelentes propriedades térmicas.
● -Estabilidade Dimensional: Mantém a integridade estrutural em uma ampla faixa de temperaturas, graças ao seu baixo coeficiente de expansão térmica.
● -Dureza aprimorada: Com uma classificação de dureza de40 GPa, nosso revestimento de SiC resiste a impactos e abrasão significativos.
● -Acabamento de superfície lisa: Proporciona acabamento espelhado, reduzindo a geração de partículas e aumentando a eficiência operacional.
Aplicativos
Semícera Revestimentos de SiCsão utilizados em vários estágios de fabricação de semicondutores, incluindo:
● -Fabricação de chips LED
● -Produção de Polissilício
● -Crescimento de cristal semicondutor
● -Epitaxia de Silício e SiC
● -Oxidação e Difusão Térmica (TO&D)
Fornecemos componentes revestidos com SiC feitos de grafite isostática de alta resistência, carbono reforçado com fibra de carbono e carboneto de silício recristalizado 4N, adaptados para reatores de leito fluidizado,Conversores STC-TCS, refletores de unidade CZ, barco de wafer de SiC, remo de SiCwafer, tubo de wafer de SiC e transportadores de wafer usados em PECVD, epitaxia de silício, processos MOCVD.
Benefícios
● -Vida útil estendida: Reduz significativamente o tempo de inatividade do equipamento e os custos de manutenção, melhorando a eficiência geral da produção.
● -Qualidade melhorada: Alcança superfícies de alta pureza necessárias para o processamento de semicondutores, aumentando assim a qualidade do produto.
● -Maior eficiência: Otimiza processos térmicos e CVD, resultando em tempos de ciclo mais curtos e rendimentos mais elevados.
Especificações Técnicas
● -Estrutura: Policristalino de fase β do FCC, principalmente orientado (111)
● -Densidade: 3,21 g/cm³
● -Dureza: Dureza Vickes 2500 (carga de 500g)
● -Resistência à fratura: 3,0 MPa·m1/2
● -Coeficiente de Expansão Térmica (100–600 °C): 4,3 x 10-6k-1
● -Módulo Elástico(1300 ℃):435 GPa
● -Espessura típica do filme:100 µm
● -Rugosidade da superfície:2-10 µm
Dados de pureza (medidos por espectroscopia de massa de descarga luminosa)
| Elemento | ppm | Elemento | ppm |
| Li | < 0,001 | Cu | <0,01 |
| Be | < 0,001 | Zn | <0,05 |
| Al | <0,04 | Ga | <0,01 |
| P | <0,01 | Ge | <0,05 |
| S | <0,04 | As | < 0,005 |
| K | <0,05 | In | <0,01 |
| Ca | <0,05 | Sn | <0,01 |
| Ti | < 0,005 | Sb | <0,01 |
| V | < 0,001 | W | <0,05 |
| Cr | <0,05 | Te | <0,01 |
| Mn | < 0,005 | Pb | <0,01 |
| Fe | <0,05 | Bi | <0,05 |
| Ni | <0,01 |
|
