Bandeja ICP de semicondutores personalizada (gravação)

Breve descrição:

Semicera Energy Technology Co., Ltd. é um fornecedor líder especializado em wafer e consumíveis semicondutores avançados.Estamos empenhados em fornecer produtos de alta qualidade, confiáveis ​​e inovadores para fabricação de semicondutores,indústria fotovoltaicae outros campos relacionados.

Nossa linha de produtos inclui produtos de grafite revestidos com SiC/TaC e produtos cerâmicos, abrangendo vários materiais como carboneto de silício, nitreto de silício e óxido de alumínio e etc.

Como fornecedor confiável, entendemos a importância dos consumíveis no processo de fabricação e estamos comprometidos em fornecer produtos que atendam aos mais altos padrões de qualidade para atender às necessidades de nossos clientes.

 

Detalhes do produto

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Descrição do produto

Nossa empresa fornece serviços de processo de revestimento de SiC pelo método CVD na superfície de grafite, cerâmica e outros materiais, para que gases especiais contendo carbono e silício reajam em alta temperatura para obter moléculas de SiC de alta pureza, moléculas depositadas na superfície dos materiais revestidos, formando camada protetora SIC.

Principais características:

1. Resistência à oxidação em alta temperatura:

a resistência à oxidação ainda é muito boa quando a temperatura chega a 1600 C.

2. Alta pureza: feita por deposição química de vapor sob condições de cloração de alta temperatura.

3. Resistência à erosão: alta dureza, superfície compacta, partículas finas.

4. Resistência à corrosão: ácidos, álcalis, sal e reagentes orgânicos.

3

Principais especificações do revestimento CVD-SIC

Propriedades SiC-CVD

Estrutura Cristalina

Fase β do FCC

Densidade

g/cm³

3.21

Dureza

Dureza Vickers

2500

Tamanho do grão

μm

2~10

Pureza Química

%

99.99995

Capacidade de calor

J·kg-1·K-1

640

Temperatura de Sublimação

2700

Força Felexural

MPa (TR 4 pontos)

415

Módulo de Young

Gpa (curvatura de 4 pontos, 1300°C)

430

Expansão Térmica (CTE)

10-6K-1

4,5

Condutividade térmica

(W/mK)

300


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