Substrato SiC condutor tipo n de 8 polegadas

Breve descrição:

O substrato SiC tipo n de 8 polegadas é um substrato de cristal único avançado de carboneto de silício tipo n (SiC) com um diâmetro variando de 195 a 205 mm e uma espessura variando de 300 a 650 mícrons. Este substrato possui alta concentração de dopagem e um perfil de concentração cuidadosamente otimizado, proporcionando excelente desempenho para uma variedade de aplicações de semicondutores.


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O substrato de SiC condutivo tipo n de 8 polegadas oferece desempenho incomparável para dispositivos eletrônicos de potência, fornecendo excelente condutividade térmica, alta tensão de ruptura e excelente qualidade para aplicações avançadas de semicondutores. A Semicera fornece soluções líderes do setor com seu substrato de SiC condutivo tipo n de 8 polegadas projetado.

O substrato de SiC condutivo tipo n de 8 polegadas da Semicera é um material de ponta projetado para atender às crescentes demandas de eletrônica de potência e aplicações de semicondutores de alto desempenho. O substrato combina as vantagens do carboneto de silício e da condutividade tipo n para oferecer desempenho incomparável em dispositivos que exigem alta densidade de potência, eficiência térmica e confiabilidade.

O substrato de SiC condutivo tipo n de 8 polegadas da Semicera é cuidadosamente elaborado para garantir qualidade e consistência superiores. Possui excelente condutividade térmica para dissipação de calor eficiente, tornando-o ideal para aplicações de alta potência, como inversores de potência, diodos e transistores. Além disso, a alta tensão de ruptura deste substrato garante que ele possa suportar condições exigentes, fornecendo uma plataforma robusta para componentes eletrônicos de alto desempenho.

A Semicera reconhece o papel crítico que o substrato condutivo de SiC tipo n de 8 polegadas desempenha no avanço da tecnologia de semicondutores. Nossos substratos são fabricados usando processos de última geração para garantir densidade mínima de defeitos, o que é fundamental para o desenvolvimento de dispositivos eficientes. Essa atenção aos detalhes permite produtos que suportam a produção de eletrônicos de próxima geração com maior desempenho e durabilidade.

Nosso substrato de SiC condutivo tipo n de 8 polegadas também foi projetado para atender às necessidades de uma ampla gama de aplicações, desde automotiva até energia renovável. A condutividade do tipo n fornece as propriedades elétricas necessárias para desenvolver dispositivos de energia eficientes, tornando este substrato um componente chave na transição para tecnologias mais eficientes em termos energéticos.

Na Semicera, temos o compromisso de fornecer substratos que impulsionem a inovação na fabricação de semicondutores. O substrato condutivo de SiC tipo n de 8 polegadas é uma prova de nossa dedicação à qualidade e excelência, garantindo que nossos clientes recebam o melhor material possível para suas aplicações.

Parâmetros básicos

Tamanho 8 polegadas
Diâmetro 200,0 mm + 0 mm/-0,2 mm
Orientação de superfície fora do eixo: 4° em direção a <1120>士0,5°
Orientação do entalhe <1100>士1°
Ângulo de entalhe 90°+5°/-1°
Profundidade do entalhe 1mm+0,25mm/-0mm
Plano Secundário /
Grossura 500,0士25,0um/350,0±25,0um
Politipo 4H
Tipo condutor tipo n

 

8lnch tipo n sic Substrato-2
Bolachas de SiC

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