O substrato de SiC condutivo tipo n de 8 polegadas oferece desempenho incomparável para dispositivos eletrônicos de potência, fornecendo excelente condutividade térmica, alta tensão de ruptura e excelente qualidade para aplicações avançadas de semicondutores. A Semicera fornece soluções líderes do setor com seu substrato de SiC condutivo tipo n de 8 polegadas projetado.
O substrato de SiC condutivo tipo n de 8 polegadas da Semicera é um material de ponta projetado para atender às crescentes demandas de eletrônica de potência e aplicações de semicondutores de alto desempenho. O substrato combina as vantagens do carboneto de silício e da condutividade tipo n para oferecer desempenho incomparável em dispositivos que exigem alta densidade de potência, eficiência térmica e confiabilidade.
O substrato de SiC condutivo tipo n de 8 polegadas da Semicera é cuidadosamente elaborado para garantir qualidade e consistência superiores. Possui excelente condutividade térmica para dissipação de calor eficiente, tornando-o ideal para aplicações de alta potência, como inversores de potência, diodos e transistores. Além disso, a alta tensão de ruptura deste substrato garante que ele possa suportar condições exigentes, fornecendo uma plataforma robusta para componentes eletrônicos de alto desempenho.
A Semicera reconhece o papel crítico que o substrato condutivo de SiC tipo n de 8 polegadas desempenha no avanço da tecnologia de semicondutores. Nossos substratos são fabricados usando processos de última geração para garantir densidade mínima de defeitos, o que é fundamental para o desenvolvimento de dispositivos eficientes. Essa atenção aos detalhes permite produtos que suportam a produção de eletrônicos de próxima geração com maior desempenho e durabilidade.
Nosso substrato de SiC condutivo tipo n de 8 polegadas também foi projetado para atender às necessidades de uma ampla gama de aplicações, desde automotiva até energia renovável. A condutividade do tipo n fornece as propriedades elétricas necessárias para desenvolver dispositivos de energia eficientes, tornando este substrato um componente chave na transição para tecnologias mais eficientes em termos energéticos.
Na Semicera, temos o compromisso de fornecer substratos que impulsionem a inovação na fabricação de semicondutores. O substrato condutivo de SiC tipo n de 8 polegadas é uma prova de nossa dedicação à qualidade e excelência, garantindo que nossos clientes recebam o melhor material possível para suas aplicações.
Parâmetros básicos
Tamanho | 8 polegadas |
Diâmetro | 200,0 mm + 0 mm/-0,2 mm |
Orientação de superfície | fora do eixo: 4° em direção a <1120>士0,5° |
Orientação do entalhe | <1100>士1° |
Ângulo de entalhe | 90°+5°/-1° |
Profundidade do entalhe | 1mm+0,25mm/-0mm |
Plano Secundário | / |
Grossura | 500,0士25,0um/350,0±25,0um |
Politipo | 4H |
Tipo condutor | tipo n |