Wafer SiC tipo N de 8 polegadas

Breve descrição:

Os wafers SiC tipo N de 8 polegadas da Semicera são projetados para aplicações de ponta em eletrônicos de alta potência e alta frequência. Esses wafers fornecem propriedades elétricas e térmicas superiores, garantindo desempenho eficiente em ambientes exigentes. Semicera oferece inovação e confiabilidade em materiais semicondutores.


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Os Wafers SiC tipo N de 8 polegadas da Semicera estão na vanguarda da inovação em semicondutores, fornecendo uma base sólida para o desenvolvimento de dispositivos eletrônicos de alto desempenho. Esses wafers são projetados para atender às rigorosas demandas das aplicações eletrônicas modernas, desde eletrônica de potência até circuitos de alta frequência.

A dopagem tipo N nesses wafers de SiC aumenta sua condutividade elétrica, tornando-os ideais para uma ampla gama de aplicações, incluindo diodos de potência, transistores e amplificadores. A condutividade superior garante perda mínima de energia e operação eficiente, que são essenciais para dispositivos que operam em altas frequências e níveis de potência.

Semicera emprega técnicas avançadas de fabricação para produzir wafers de SiC com excepcional uniformidade de superfície e defeitos mínimos. Esse nível de precisão é essencial para aplicações que exigem desempenho e durabilidade consistentes, como nos setores aeroespacial, automotivo e de telecomunicações.

A incorporação dos wafers SiC tipo N de 8 polegadas da Semicera em sua linha de produção fornece uma base para a criação de componentes que podem suportar ambientes agressivos e altas temperaturas. Esses wafers são perfeitos para aplicações em conversão de energia, tecnologia RF e outros campos exigentes.

Escolher os wafers de SiC tipo N de 8 polegadas da Semicera significa investir em um produto que combina ciência de materiais de alta qualidade com engenharia precisa. A Semicera está comprometida em aprimorar as capacidades das tecnologias de semicondutores, oferecendo soluções que melhoram a eficiência e a confiabilidade de seus dispositivos eletrônicos.

Unid

Produção

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Fictício

Parâmetros de Cristal

Politipo

4H

Erro de orientação de superfície

<11-20 >4±0,15°

Parâmetros Elétricos

Dopante

Nitrogênio tipo n

Resistividade

0,015-0,025ohm·cm

Parâmetros Mecânicos

Diâmetro

150,0±0,2 mm

Grossura

350±25 μm

Orientação plana primária

[1-100]±5°

Comprimento plano primário

47,5±1,5 mm

Apartamento secundário

Nenhum

TTV

≤5 μm

≤10 μm

≤15 μm

LTV

≤3 μm(5mm*5mm)

≤5 μm(5mm*5mm)

≤10 μm(5mm*5mm)

Arco

-15μm ~ 15μm

-35μm ~ 35μm

-45μm ~ 45μm

Urdidura

≤35 μm

≤45 μm

≤55 μm

Rugosidade frontal (Si-face) (AFM)

Ra≤0,2nm (5μm*5μm)

Estrutura

Densidade de microtubos

<1 ea/cm2

<10 ea/cm2

<15 ea/cm2

Impurezas metálicas

≤5E10átomos/cm2

NA

DBP

≤1500 ea/cm2

≤3000 ea/cm2

NA

TSD

≤500 ea/cm2

≤1000 ea/cm2

NA

Qualidade frontal

Frente

Si

Acabamento de superfície

CMP de face Si

Partículas

≤60ea/wafer (tamanho≥0,3μm)

NA

Arranhões

≤5ea/mm. Comprimento cumulativo ≤Diâmetro

Comprimento cumulativo≤2*Diâmetro

NA

Casca de laranja/caroços/manchas/estrias/rachaduras/contaminação

Nenhum

NA

Lascas/reentrâncias/fraturas/placas sextavadas nas bordas

Nenhum

Áreas politípicas

Nenhum

Área acumulada≤20%

Área acumulada≤30%

Marcação a laser frontal

Nenhum

Qualidade traseira

Acabamento traseiro

CMP face C

Arranhões

≤5ea/mm, comprimento cumulativo≤2*Diâmetro

NA

Defeitos traseiros (lascas/recortes nas bordas)

Nenhum

Rugosidade nas costas

Ra≤0,2nm (5μm*5μm)

Marcação a laser traseira

1 mm (da borda superior)

Borda

Borda

Chanfro

Embalagem

Embalagem

Epi-pronto com embalagem a vácuo

Embalagem cassete multi-wafer

*Observações: "NA" significa sem solicitação. Itens não mencionados podem referir-se ao SEMI-STD.

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Bolachas de SiC

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