Wafer HPSI SiC semi-isolante de 6 polegadas

Breve descrição:

Os wafers HPSI SiC semiisolantes de 6 polegadas da Semicera são projetados para máxima eficiência e confiabilidade em eletrônicos de alto desempenho. Esses wafers apresentam excelentes propriedades térmicas e elétricas, tornando-os ideais para uma variedade de aplicações, incluindo dispositivos de energia e eletrônicos de alta frequência. Escolha Semicera para qualidade e inovação superiores.


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Os wafers HPSI SiC semi-isolantes de 6 polegadas da Semicera são projetados para atender às rigorosas demandas da moderna tecnologia de semicondutores. Com pureza e consistência excepcionais, esses wafers servem como base confiável para o desenvolvimento de componentes eletrônicos de alta eficiência.

Esses wafers HPSI SiC são conhecidos por sua excelente condutividade térmica e isolamento elétrico, que são essenciais para otimizar o desempenho de dispositivos de energia e circuitos de alta frequência. As propriedades semi-isolantes ajudam a minimizar a interferência elétrica e a maximizar a eficiência do dispositivo.

O processo de fabricação de alta qualidade empregado pela Semicera garante que cada wafer tenha espessura uniforme e defeitos superficiais mínimos. Esta precisão é essencial para aplicações avançadas, como dispositivos de radiofrequência, inversores de potência e sistemas LED, onde o desempenho e a durabilidade são fatores-chave.

Ao aproveitar técnicas de produção de última geração, a Semicera fornece wafers que não apenas atendem, mas também excedem os padrões da indústria. O tamanho de 6 polegadas oferece flexibilidade no aumento da produção, atendendo tanto a pesquisas quanto a aplicações comerciais no setor de semicondutores.

Escolher os wafers HPSI SiC semi-isolantes de 6 polegadas da Semicera significa investir em um produto que oferece qualidade e desempenho consistentes. Esses wafers fazem parte do compromisso da Semicera em aprimorar as capacidades da tecnologia de semicondutores por meio de materiais inovadores e artesanato meticuloso.

Unid

Produção

Pesquisar

Fictício

Parâmetros de Cristal

Politipo

4H

Erro de orientação de superfície

<11-20 >4±0,15°

Parâmetros Elétricos

Dopante

Nitrogênio tipo n

Resistividade

0,015-0,025ohm·cm

Parâmetros Mecânicos

Diâmetro

150,0±0,2 mm

Grossura

350±25 μm

Orientação plana primária

[1-100]±5°

Comprimento plano primário

47,5±1,5mm

Apartamento secundário

Nenhum

TTV

≤5 μm

≤10 μm

≤15 μm

LTV

≤3 μm(5mm*5mm)

≤5 μm(5mm*5mm)

≤10 μm(5mm*5mm)

Arco

-15μm ~ 15μm

-35μm ~ 35μm

-45μm ~ 45μm

Urdidura

≤35 μm

≤45 μm

≤55 μm

Rugosidade frontal (Si-face) (AFM)

Ra≤0,2nm (5μm*5μm)

Estrutura

Densidade de microtubos

<1 ea/cm2

<10 ea/cm2

<15 ea/cm2

Impurezas metálicas

≤5E10átomos/cm2

NA

DBP

≤1500 ea/cm2

≤3000 ea/cm2

NA

TSD

≤500 ea/cm2

≤1000 ea/cm2

NA

Qualidade frontal

Frente

Si

Acabamento de superfície

CMP de face Si

Partículas

≤60ea/wafer (tamanho≥0,3μm)

NA

Arranhões

≤5ea/mm. Comprimento cumulativo ≤Diâmetro

Comprimento cumulativo≤2*Diâmetro

NA

Casca de laranja/caroços/manchas/estrias/rachaduras/contaminação

Nenhum

NA

Lascas/reentrâncias/fraturas/placas sextavadas nas bordas

Nenhum

Áreas politípicas

Nenhum

Área acumulada≤20%

Área acumulada≤30%

Marcação a laser frontal

Nenhum

Qualidade traseira

Acabamento traseiro

CMP face C

Arranhões

≤5ea/mm, comprimento cumulativo≤2*Diâmetro

NA

Defeitos traseiros (lascas/recortes nas bordas)

Nenhum

Rugosidade nas costas

Ra≤0,2nm (5μm*5μm)

Marcação a laser traseira

1 mm (da borda superior)

Borda

Borda

Chanfro

Embalagem

Embalagem

Epi-pronto com embalagem a vácuo

Embalagem cassete multi-wafer

*Observações: "NA" significa sem solicitação. Itens não mencionados podem referir-se ao SEMI-STD.

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