O Wafer SiC tipo N de 6 polegadas da Semicera está na vanguarda da tecnologia de semicondutores. Criado para oferecer desempenho ideal, este wafer se destaca em aplicações de alta potência, alta frequência e alta temperatura, essenciais para dispositivos eletrônicos avançados.
Nosso wafer SiC tipo N de 6 polegadas apresenta alta mobilidade de elétrons e baixa resistência, que são parâmetros críticos para dispositivos de energia como MOSFETs, diodos e outros componentes. Essas propriedades garantem uma conversão eficiente de energia e redução da geração de calor, melhorando o desempenho e a vida útil dos sistemas eletrônicos.
Os rigorosos processos de controle de qualidade da Semicera garantem que cada wafer de SiC mantenha excelente planicidade superficial e defeitos mínimos. Essa atenção meticulosa aos detalhes garante que nossos wafers atendam aos rigorosos requisitos de indústrias como automotiva, aeroespacial e de telecomunicações.
Além de suas propriedades elétricas superiores, o wafer de SiC tipo N oferece estabilidade térmica robusta e resistência a altas temperaturas, tornando-o ideal para ambientes onde os materiais convencionais podem falhar. Esta capacidade é particularmente valiosa em aplicações que envolvem operações de alta frequência e alta potência.
Ao escolher o Wafer SiC tipo N de 6 polegadas da Semicera, você está investindo em um produto que representa o auge da inovação em semicondutores. Estamos empenhados em fornecer os componentes básicos para dispositivos de última geração, garantindo que nossos parceiros em diversos setores tenham acesso aos melhores materiais para seus avanços tecnológicos.
Unid | Produção | Pesquisar | Fictício |
Parâmetros de Cristal | |||
Politipo | 4H | ||
Erro de orientação de superfície | <11-20 >4±0,15° | ||
Parâmetros Elétricos | |||
Dopante | Nitrogênio tipo n | ||
Resistividade | 0,015-0,025ohm·cm | ||
Parâmetros Mecânicos | |||
Diâmetro | 150,0±0,2 mm | ||
Grossura | 350±25 μm | ||
Orientação plana primária | [1-100]±5° | ||
Comprimento plano primário | 47,5±1,5mm | ||
Apartamento secundário | Nenhum | ||
TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
LTV | ≤3 μm(5mm*5mm) | ≤5 μm(5mm*5mm) | ≤10 μm(5mm*5mm) |
Arco | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
Urdidura | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
Rugosidade frontal (Si-face) (AFM) | Ra≤0,2nm (5μm*5μm) | ||
Estrutura | |||
Densidade de microtubos | <1 ea/cm2 | <10 ea/cm2 | <15 ea/cm2 |
Impurezas metálicas | ≤5E10átomos/cm2 | NA | |
DBP | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
TSD | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
Qualidade frontal | |||
Frente | Si | ||
Acabamento de superfície | CMP de face Si | ||
Partículas | ≤60ea/wafer (tamanho≥0,3μm) | NA | |
Arranhões | ≤5ea/mm. Comprimento cumulativo ≤Diâmetro | Comprimento cumulativo≤2*Diâmetro | NA |
Casca de laranja/caroços/manchas/estrias/rachaduras/contaminação | Nenhum | NA | |
Lascas/reentrâncias/fraturas/placas sextavadas nas bordas | Nenhum | ||
Áreas politípicas | Nenhum | Área acumulada≤20% | Área acumulada≤30% |
Marcação a laser frontal | Nenhum | ||
Qualidade traseira | |||
Acabamento traseiro | CMP face C | ||
Arranhões | ≤5ea/mm, comprimento cumulativo≤2*Diâmetro | NA | |
Defeitos traseiros (lascas/recortes nas bordas) | Nenhum | ||
Rugosidade nas costas | Ra≤0,2nm (5μm*5μm) | ||
Marcação a laser traseira | 1 mm (da borda superior) | ||
Borda | |||
Borda | Chanfro | ||
Embalagem | |||
Embalagem | Epi-pronto com embalagem a vácuo Embalagem cassete multi-wafer | ||
*Observações: "NA" significa sem solicitação. Itens não mencionados podem referir-se ao SEMI-STD. |