Wafer SiC tipo N de 6 polegadas

Breve descrição:

O Wafer SiC tipo N de 6 polegadas da Semicera oferece excelente condutividade térmica e alta intensidade de campo elétrico, tornando-o uma escolha superior para dispositivos de energia e RF. Este wafer, adaptado para atender às demandas da indústria, exemplifica o compromisso da Semicera com a qualidade e inovação em materiais semicondutores.


Detalhes do produto

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O Wafer SiC tipo N de 6 polegadas da Semicera está na vanguarda da tecnologia de semicondutores. Criado para oferecer desempenho ideal, este wafer se destaca em aplicações de alta potência, alta frequência e alta temperatura, essenciais para dispositivos eletrônicos avançados.

Nosso wafer SiC tipo N de 6 polegadas apresenta alta mobilidade de elétrons e baixa resistência, que são parâmetros críticos para dispositivos de energia como MOSFETs, diodos e outros componentes. Essas propriedades garantem uma conversão eficiente de energia e redução da geração de calor, melhorando o desempenho e a vida útil dos sistemas eletrônicos.

Os rigorosos processos de controle de qualidade da Semicera garantem que cada wafer de SiC mantenha excelente planicidade superficial e defeitos mínimos. Essa atenção meticulosa aos detalhes garante que nossos wafers atendam aos rigorosos requisitos de indústrias como automotiva, aeroespacial e de telecomunicações.

Além de suas propriedades elétricas superiores, o wafer de SiC tipo N oferece estabilidade térmica robusta e resistência a altas temperaturas, tornando-o ideal para ambientes onde os materiais convencionais podem falhar. Esta capacidade é particularmente valiosa em aplicações que envolvem operações de alta frequência e alta potência.

Ao escolher o Wafer SiC tipo N de 6 polegadas da Semicera, você está investindo em um produto que representa o auge da inovação em semicondutores. Estamos empenhados em fornecer os componentes básicos para dispositivos de última geração, garantindo que nossos parceiros em diversos setores tenham acesso aos melhores materiais para seus avanços tecnológicos.

Unid

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Fictício

Parâmetros de Cristal

Politipo

4H

Erro de orientação de superfície

<11-20 >4±0,15°

Parâmetros Elétricos

Dopante

Nitrogênio tipo n

Resistividade

0,015-0,025ohm·cm

Parâmetros Mecânicos

Diâmetro

150,0±0,2 mm

Grossura

350±25 μm

Orientação plana primária

[1-100]±5°

Comprimento plano primário

47,5±1,5 mm

Apartamento secundário

Nenhum

TTV

≤5 μm

≤10 μm

≤15 μm

LTV

≤3 μm(5mm*5mm)

≤5 μm(5mm*5mm)

≤10 μm(5mm*5mm)

Arco

-15μm ~ 15μm

-35μm ~ 35μm

-45μm ~ 45μm

Urdidura

≤35 μm

≤45 μm

≤55 μm

Rugosidade frontal (Si-face) (AFM)

Ra≤0,2nm (5μm*5μm)

Estrutura

Densidade de microtubos

<1 ea/cm2

<10 ea/cm2

<15 ea/cm2

Impurezas metálicas

≤5E10átomos/cm2

NA

DBP

≤1500 ea/cm2

≤3000 ea/cm2

NA

TSD

≤500 ea/cm2

≤1000 ea/cm2

NA

Qualidade frontal

Frente

Si

Acabamento de superfície

CMP de face Si

Partículas

≤60ea/wafer (tamanho≥0,3μm)

NA

Arranhões

≤5ea/mm. Comprimento cumulativo ≤Diâmetro

Comprimento cumulativo≤2*Diâmetro

NA

Casca de laranja/caroços/manchas/estrias/rachaduras/contaminação

Nenhum

NA

Lascas/reentrâncias/fraturas/placas sextavadas nas bordas

Nenhum

Áreas politípicas

Nenhum

Área acumulada≤20%

Área acumulada≤30%

Marcação a laser frontal

Nenhum

Qualidade traseira

Acabamento traseiro

CMP face C

Arranhões

≤5ea/mm, comprimento cumulativo≤2*Diâmetro

NA

Defeitos traseiros (lascas/recortes nas bordas)

Nenhum

Rugosidade nas costas

Ra≤0,2nm (5μm*5μm)

Marcação a laser traseira

1 mm (da borda superior)

Borda

Borda

Chanfro

Embalagem

Embalagem

Epi-pronto com embalagem a vácuo

Embalagem cassete multi-wafer

*Observações: "NA" significa sem solicitação. Itens não mencionados podem referir-se ao SEMI-STD.

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