O material de cristal único de carboneto de silício (SiC) tem uma grande largura de banda (~Si 3 vezes), alta condutividade térmica (~Si 3,3 vezes ou GaAs 10 vezes), alta taxa de migração de saturação de elétrons (~Si 2,5 vezes), alta quebra elétrica campo (~Si 10 vezes ou GaAs 5 vezes) e outras características excepcionais.
Os materiais semicondutores de terceira geração incluem principalmente SiC, GaN, diamante, etc., porque sua largura de banda larga (por exemplo) é maior ou igual a 2,3 elétron-volts (eV), também conhecidos como materiais semicondutores de banda larga. Em comparação com os materiais semicondutores de primeira e segunda geração, os materiais semicondutores de terceira geração têm as vantagens de alta condutividade térmica, alto campo elétrico de ruptura, alta taxa de migração de elétrons saturados e alta energia de ligação, que podem atender aos novos requisitos da tecnologia eletrônica moderna para alta temperatura, alta potência, alta pressão, alta frequência e resistência à radiação e outras condições adversas. Tem importantes perspectivas de aplicação nas áreas de defesa nacional, aviação, aeroespacial, exploração de petróleo, armazenamento óptico, etc., e pode reduzir a perda de energia em mais de 50% em muitas indústrias estratégicas, como comunicações de banda larga, energia solar, fabricação de automóveis, iluminação de semicondutores e rede inteligente, e pode reduzir o volume de equipamentos em mais de 75%, o que é de grande importância para o desenvolvimento da ciência e tecnologia humanas.
A energia Semicera pode fornecer aos clientes substrato de carboneto de silício condutivo (condutor), semi-isolante (semi-isolante), HPSI (semi-isolante de alta pureza) de alta qualidade; Além disso, podemos fornecer aos clientes folhas epitaxiais de carboneto de silício homogêneas e heterogêneas; Também podemos personalizar a folha epitaxial de acordo com as necessidades específicas dos clientes, não havendo quantidade mínima de pedido.
| Unid | Produção | Pesquisar | Fictício |
| Parâmetros de Cristal | |||
| Politipo | 4H | ||
| Erro de orientação de superfície | <11-20 >4±0,15° | ||
| Parâmetros Elétricos | |||
| Dopante | Nitrogênio tipo n | ||
| Resistividade | 0,015-0,025ohm·cm | ||
| Parâmetros Mecânicos | |||
| Diâmetro | 150,0±0,2 mm | ||
| Grossura | 350±25 μm | ||
| Orientação plana primária | [1-100]±5° | ||
| Comprimento plano primário | 47,5±1,5 mm | ||
| Apartamento secundário | Nenhum | ||
| TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
| LTV | ≤3 μm(5mm*5mm) | ≤5 μm(5mm*5mm) | ≤10 μm(5mm*5mm) |
| Arco | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
| Urdidura | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
| Rugosidade frontal (Si-face) (AFM) | Ra≤0,2nm (5μm*5μm) | ||
| Estrutura | |||
| Densidade de microtubos | <1 ea/cm2 | <10 ea/cm2 | <15 ea/cm2 |
| Impurezas metálicas | ≤5E10átomos/cm2 | NA | |
| DBP | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
| Qualidade frontal | |||
| Frente | Si | ||
| Acabamento de superfície | CMP de face Si | ||
| Partículas | ≤60ea/wafer (tamanho≥0,3μm) | NA | |
| Arranhões | ≤5ea/mm. Comprimento cumulativo ≤Diâmetro | Comprimento cumulativo≤2*Diâmetro | NA |
| Casca de laranja/caroços/manchas/estrias/rachaduras/contaminação | Nenhum | NA | |
| Lascas/reentrâncias/fraturas/placas sextavadas nas bordas | Nenhum | ||
| Áreas politípicas | Nenhum | Área acumulada≤20% | Área acumulada≤30% |
| Marcação a laser frontal | Nenhum | ||
| Qualidade traseira | |||
| Acabamento traseiro | CMP face C | ||
| Arranhões | ≤5ea/mm, comprimento cumulativo≤2*Diâmetro | NA | |
| Defeitos traseiros (lascas/recortes nas bordas) | Nenhum | ||
| Rugosidade nas costas | Ra≤0,2nm (5μm*5μm) | ||
| Marcação a laser traseira | 1 mm (da borda superior) | ||
| Borda | |||
| Borda | Chanfro | ||
| Embalagem | |||
| Embalagem | Epi-pronto com embalagem a vácuo Embalagem cassete multi-wafer | ||
| *Observações: "NA" significa sem solicitação. Itens não mencionados podem referir-se ao SEMI-STD. | |||
