Substrato SiC tipo N de 6 polegadas

O material de cristal único de carboneto de silício (SiC) tem uma grande largura de banda (~Si 3 vezes), alta condutividade térmica (~Si 3,3 vezes ou GaAs 10 vezes), alta taxa de migração de saturação de elétrons (~Si 2,5 vezes), alta quebra elétrica campo (~Si 10 vezes ou GaAs 5 vezes) e outras características excepcionais.

Os materiais semicondutores de terceira geração incluem principalmente SiC, GaN, diamante, etc., porque sua largura de banda larga (por exemplo) é maior ou igual a 2,3 elétron-volts (eV), também conhecidos como materiais semicondutores de banda larga. Em comparação com os materiais semicondutores de primeira e segunda geração, os materiais semicondutores de terceira geração têm as vantagens de alta condutividade térmica, alto campo elétrico de ruptura, alta taxa de migração de elétrons saturados e alta energia de ligação, que podem atender aos novos requisitos da tecnologia eletrônica moderna para alta temperatura, alta potência, alta pressão, alta frequência e resistência à radiação e outras condições adversas. Tem importantes perspectivas de aplicação nas áreas de defesa nacional, aviação, aeroespacial, exploração de petróleo, armazenamento óptico, etc., e pode reduzir a perda de energia em mais de 50% em muitas indústrias estratégicas, como comunicações de banda larga, energia solar, fabricação de automóveis, iluminação de semicondutores e rede inteligente, e pode reduzir o volume de equipamentos em mais de 75%, o que é de grande importância para o desenvolvimento da ciência e tecnologia humanas.

A energia Semicera pode fornecer aos clientes substrato de carboneto de silício condutivo (condutor), semi-isolante (semi-isolante), HPSI (semi-isolante de alta pureza) de alta qualidade; Além disso, podemos fornecer aos clientes chapas epitaxiais de carboneto de silício homogêneas e heterogêneas; Também podemos personalizar a folha epitaxial de acordo com as necessidades específicas dos clientes, não havendo quantidade mínima de pedido.