Lingote de SiC semi-isolante de alta pureza de 4 ″ 6 ″

Breve descrição:

Os lingotes de SiC semi-isolantes de alta pureza de 4”6” da Semicera são meticulosamente fabricados para aplicações eletrônicas e optoeletrônicas avançadas. Apresentando condutividade térmica e resistividade elétrica superiores, esses lingotes fornecem uma base robusta para dispositivos de alto desempenho. Semicera garante qualidade e confiabilidade consistentes em todos os produtos.


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Os lingotes de SiC semi-isolantes de alta pureza de 4”6” da Semicera são projetados para atender aos padrões exigentes da indústria de semicondutores. Esses lingotes são produzidos com foco na pureza e consistência, o que os torna a escolha ideal para aplicações de alta potência e alta frequência onde o desempenho é fundamental.

As propriedades exclusivas desses lingotes de SiC, incluindo alta condutividade térmica e excelente resistividade elétrica, os tornam particularmente adequados para uso em eletrônica de potência e dispositivos de micro-ondas. Sua natureza semi-isolante permite uma dissipação de calor eficaz e interferência elétrica mínima, resultando em componentes mais eficientes e confiáveis.

Semicera emprega processos de fabricação de última geração para produzir lingotes com excepcional qualidade e uniformidade de cristal. Essa precisão garante que cada lingote possa ser usado de forma confiável em aplicações sensíveis, como amplificadores de alta frequência, diodos laser e outros dispositivos optoeletrônicos.

Disponíveis em tamanhos de 4 e 6 polegadas, os lingotes de SiC da Semicera oferecem a flexibilidade necessária para diversas escalas de produção e requisitos tecnológicos. Seja para pesquisa e desenvolvimento ou produção em massa, esses lingotes oferecem o desempenho e a durabilidade que os sistemas eletrônicos modernos exigem.

Ao escolher os lingotes de SiC semi-isolantes de alta pureza da Semicera, você está investindo em um produto que combina ciência avançada de materiais com experiência de fabricação incomparável. A Semicera se dedica a apoiar a inovação e o crescimento da indústria de semicondutores, oferecendo materiais que possibilitem o desenvolvimento de dispositivos eletrônicos de última geração.

Unid

Produção

Pesquisar

Fictício

Parâmetros de Cristal

Politipo

4H

Erro de orientação de superfície

<11-20 >4±0,15°

Parâmetros Elétricos

Dopante

Nitrogênio tipo n

Resistividade

0,015-0,025ohm·cm

Parâmetros Mecânicos

Diâmetro

150,0±0,2 mm

Grossura

350±25 μm

Orientação plana primária

[1-100]±5°

Comprimento plano primário

47,5±1,5mm

Apartamento secundário

Nenhum

TTV

≤5 μm

≤10 μm

≤15 μm

LTV

≤3 μm(5mm*5mm)

≤5 μm(5mm*5mm)

≤10 μm(5mm*5mm)

Arco

-15μm ~ 15μm

-35μm ~ 35μm

-45μm ~ 45μm

Urdidura

≤35 μm

≤45 μm

≤55 μm

Rugosidade frontal (Si-face) (AFM)

Ra≤0,2nm (5μm*5μm)

Estrutura

Densidade de microtubos

<1 ea/cm2

<10 ea/cm2

<15 ea/cm2

Impurezas metálicas

≤5E10átomos/cm2

NA

DBP

≤1500 ea/cm2

≤3000 ea/cm2

NA

TSD

≤500 ea/cm2

≤1000 ea/cm2

NA

Qualidade frontal

Frente

Si

Acabamento de superfície

CMP de face Si

Partículas

≤60ea/wafer (tamanho≥0,3μm)

NA

Arranhões

≤5ea/mm. Comprimento cumulativo ≤Diâmetro

Comprimento cumulativo≤2*Diâmetro

NA

Casca de laranja/caroços/manchas/estrias/rachaduras/contaminação

Nenhum

NA

Lascas/reentrâncias/fraturas/placas sextavadas nas bordas

Nenhum

Áreas politípicas

Nenhum

Área acumulada≤20%

Área acumulada≤30%

Marcação a laser frontal

Nenhum

Qualidade traseira

Acabamento traseiro

CMP face C

Arranhões

≤5ea/mm, comprimento cumulativo≤2*Diâmetro

NA

Defeitos traseiros (lascas/recortes nas bordas)

Nenhum

Rugosidade nas costas

Ra≤0,2nm (5μm*5μm)

Marcação a laser traseira

1 mm (da borda superior)

Borda

Borda

Chanfro

Embalagem

Embalagem

Epi-pronto com embalagem a vácuo

Embalagem cassete multi-wafer

*Observações: "NA" significa sem solicitação. Itens não mencionados podem referir-se ao SEMI-STD.

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Bolachas de SiC

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