Substrato SiC de 4 polegadas tipo N

Imagem em destaque do tipo N de substrato SiC de 4 polegadas

Breve descrição:

A Semicera oferece uma ampla variedade de wafers de SiC 4H-8H. Há muitos anos somos fabricantes e fornecedores de produtos para as indústrias de semicondutores e fotovoltaicas. Nossos principais produtos incluem: placas de gravação de carboneto de silício, reboques para barcos de carboneto de silício, barcos wafer de carboneto de silício (PV e semicondutores), tubos de forno de carboneto de silício, pás cantilever de carboneto de silício, mandris de carboneto de silício, vigas de carboneto de silício, bem como revestimentos CVD SiC e Revestimentos TaC. Cobrindo a maioria dos mercados europeus e americanos. Esperamos ser seu parceiro de longo prazo na China.

Envie um e-mail para nós

Detalhes do produto

Etiquetas de produto

O material de cristal único de carboneto de silício (SiC) tem uma grande largura de banda (~Si 3 vezes), alta condutividade térmica (~Si 3,3 vezes ou GaAs 10 vezes), alta taxa de migração de saturação de elétrons (~Si 2,5 vezes), alta quebra elétrica campo (~Si 10 vezes ou GaAs 5 vezes) e outras características excepcionais.

A energia Semicera pode fornecer aos clientes substrato de carboneto de silício condutivo (condutor), semi-isolante (semi-isolante), HPSI (semi-isolante de alta pureza) de alta qualidade; Além disso, podemos fornecer aos clientes folhas epitaxiais de carboneto de silício homogêneas e heterogêneas; Também podemos personalizar a folha epitaxial de acordo com as necessidades específicas dos clientes, não havendo quantidade mínima de pedido.

Unid	Produção	Pesquisar	Fictício
Parâmetros de Cristal
Politipo	4H
Erro de orientação de superfície	<11-20 >4±0,15°
Parâmetros Elétricos
Dopante	Nitrogênio tipo n
Resistividade	0,015-0,025ohm·cm
Parâmetros Mecânicos
Diâmetro	99,5 - 100mm
Grossura	350±25 μm
Orientação plana primária	[1-100]±5°
Comprimento plano primário	32,5±1,5mm
Posição plana secundária	90° CW do plano primário ±5°. silicone virado para cima
Comprimento plano secundário	18±1,5mm
TTV	≤5 μm	≤10 μm	≤20 μm
LTV	≤2 μm(5mm*5mm)	≤5 μm(5mm*5mm)	NA
Arco	-15μm ~ 15μm	-35μm ~ 35μm	-45μm ~ 45μm
Urdidura	≤20 μm	≤45 μm	≤50 μm
Rugosidade frontal (Si-face) (AFM)	Ra≤0,2nm (5μm*5μm)
Estrutura
Densidade de microtubos	≤1 ea/cm2	≤5 ea/cm2	≤10 ea/cm2
Impurezas metálicas	≤5E10átomos/cm2		NA
DBP	≤1500 ea/cm2	≤3000 ea/cm2	NA
TSD	≤500 ea/cm2	≤1000 ea/cm2	NA
Qualidade frontal
Frente	Si
Acabamento de superfície	CMP de face Si
Partículas	≤60ea/wafer (tamanho≥0,3μm)	NA
Arranhões	≤2ea/mm. Comprimento cumulativo ≤Diâmetro	Comprimento cumulativo≤2*Diâmetro	NA
Casca de laranja/caroços/manchas/estrias/rachaduras/contaminação	Nenhum		NA
Lascas/reentrâncias/fraturas/placas sextavadas nas bordas	Nenhum		NA
Áreas politípicas	Nenhum	Área acumulada≤20%	Área acumulada≤30%
Marcação a laser frontal	Nenhum
Qualidade traseira
Acabamento traseiro	CMP face C
Arranhões	≤5ea/mm, comprimento cumulativo≤2*Diâmetro	NA
Defeitos traseiros (lascas/recortes nas bordas)	Nenhum
Rugosidade nas costas	Ra≤0,2nm (5μm*5μm)
Marcação a laser traseira	1 mm (da borda superior)
Borda
Borda	Chanfro
Embalagem
Embalagem	O saco interno é preenchido com nitrogênio e o saco externo é aspirado. Cassete multi-wafer, pronto para epi.
*Observações: "NA" significa sem solicitação. Itens não mencionados podem referir-se ao SEMI-STD.