Os substratos de SiC tipo N de 4 polegadas da Semicera são criados para atender aos padrões exigentes da indústria de semicondutores. Esses substratos fornecem uma base de alto desempenho para uma ampla gama de aplicações eletrônicas, oferecendo condutividade e propriedades térmicas excepcionais.
A dopagem tipo N desses substratos de SiC aumenta sua condutividade elétrica, tornando-os particularmente adequados para aplicações de alta potência e alta frequência. Esta propriedade permite a operação eficiente de dispositivos como diodos, transistores e amplificadores, onde minimizar a perda de energia é crucial.
Semicera utiliza processos de fabricação de última geração para garantir que cada substrato apresente excelente qualidade de superfície e uniformidade. Essa precisão é crítica para aplicações em eletrônica de potência, dispositivos de micro-ondas e outras tecnologias que exigem desempenho confiável sob condições extremas.
Incorporar substratos de SiC tipo N da Semicera em sua linha de produção significa se beneficiar de materiais que oferecem dissipação de calor e estabilidade elétrica superiores. Esses substratos são ideais para criar componentes que exigem durabilidade e eficiência, como sistemas de conversão de energia e amplificadores de RF.
Ao escolher os substratos de SiC tipo N de 4 polegadas da Semicera, você está investindo em um produto que combina ciência de materiais inovadora com artesanato meticuloso. A Semicera continua a liderar a indústria ao fornecer soluções que apoiam o desenvolvimento de tecnologias de ponta em semicondutores, garantindo alto desempenho e confiabilidade.
| Unid | Produção | Pesquisar | Fictício |
| Parâmetros de Cristal | |||
| Politipo | 4H | ||
| Erro de orientação de superfície | <11-20 >4±0,15° | ||
| Parâmetros Elétricos | |||
| Dopante | Nitrogênio tipo n | ||
| Resistividade | 0,015-0,025ohm·cm | ||
| Parâmetros Mecânicos | |||
| Diâmetro | 150,0±0,2 mm | ||
| Grossura | 350±25 μm | ||
| Orientação plana primária | [1-100]±5° | ||
| Comprimento plano primário | 47,5±1,5 mm | ||
| Apartamento secundário | Nenhum | ||
| TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
| LTV | ≤3 μm(5mm*5mm) | ≤5 μm(5mm*5mm) | ≤10 μm(5mm*5mm) |
| Arco | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
| Urdidura | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
| Rugosidade frontal (Si-face) (AFM) | Ra≤0,2nm (5μm*5μm) | ||
| Estrutura | |||
| Densidade de microtubos | <1 ea/cm2 | <10 ea/cm2 | <15 ea/cm2 |
| Impurezas metálicas | ≤5E10átomos/cm2 | NA | |
| DBP | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
| Qualidade frontal | |||
| Frente | Si | ||
| Acabamento de superfície | CMP de face Si | ||
| Partículas | ≤60ea/wafer (tamanho≥0,3μm) | NA | |
| Arranhões | ≤5ea/mm. Comprimento cumulativo ≤Diâmetro | Comprimento cumulativo≤2*Diâmetro | NA |
| Casca de laranja/caroços/manchas/estrias/rachaduras/contaminação | Nenhum | NA | |
| Lascas/reentrâncias/fraturas/placas sextavadas nas bordas | Nenhum | ||
| Áreas politípicas | Nenhum | Área acumulada≤20% | Área acumulada≤30% |
| Marcação a laser frontal | Nenhum | ||
| Qualidade traseira | |||
| Acabamento traseiro | CMP face C | ||
| Arranhões | ≤5ea/mm, comprimento cumulativo≤2*Diâmetro | NA | |
| Defeitos traseiros (lascas/recortes nas bordas) | Nenhum | ||
| Rugosidade nas costas | Ra≤0,2nm (5μm*5μm) | ||
| Marcação a laser traseira | 1 mm (da borda superior) | ||
| Borda | |||
| Borda | Chanfro | ||
| Embalagem | |||
| Embalagem | Epi-pronto com embalagem a vácuo Embalagem cassete multi-wafer | ||
| *Observações: "NA" significa sem solicitação. Itens não mencionados podem referir-se ao SEMI-STD. | |||
