Lingote de SiC tipo N de 4″6″ 8″

Breve descrição:

Os lingotes de SiC tipo N de 4 ″, 6 ″ e 8 ″ da Semicera são a base para dispositivos semicondutores de alta potência e alta frequência. Oferecendo propriedades elétricas e condutividade térmica superiores, esses lingotes são fabricados para apoiar a produção de componentes eletrônicos confiáveis ​​e eficientes. Confie na Semicera para qualidade e desempenho incomparáveis.


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Os lingotes de SiC tipo N de 4", 6" e 8" da Semicera representam um avanço em materiais semicondutores, projetados para atender às crescentes demandas dos modernos sistemas eletrônicos e de energia. Esses lingotes fornecem uma base robusta e estável para várias aplicações de semicondutores, garantindo ótima desempenho e longevidade.

Nossos lingotes de SiC tipo N são produzidos usando processos de fabricação avançados que melhoram sua condutividade elétrica e estabilidade térmica. Isso os torna ideais para aplicações de alta potência e alta frequência, como inversores, transistores e outros dispositivos eletrônicos de potência onde a eficiência e a confiabilidade são fundamentais.

A dopagem precisa desses lingotes garante que eles ofereçam desempenho consistente e repetível. Esta consistência é crítica para desenvolvedores e fabricantes que estão ampliando os limites da tecnologia em áreas como aeroespacial, automotiva e telecomunicações. Os lingotes de SiC da Semicera permitem a produção de dispositivos que operam com eficiência sob condições extremas.

Escolher os lingotes de SiC tipo N da Semicera significa integrar materiais que podem suportar altas temperaturas e altas cargas elétricas com facilidade. Esses lingotes são particularmente adequados para a criação de componentes que exigem excelente gerenciamento térmico e operação em alta frequência, como amplificadores de RF e módulos de potência.

Ao optar pelos lingotes de SiC tipo N de 4", 6" e 8" da Semicera, você está investindo em um produto que combina propriedades excepcionais do material com a precisão e confiabilidade exigidas pelas tecnologias de semicondutores de ponta. A Semicera continua a liderar o setor por fornecendo soluções inovadoras que impulsionam o avanço da fabricação de dispositivos eletrônicos.

Unid

Produção

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Fictício

Parâmetros de Cristal

Politipo

4H

Erro de orientação de superfície

<11-20 >4±0,15°

Parâmetros Elétricos

Dopante

Nitrogênio tipo n

Resistividade

0,015-0,025ohm·cm

Parâmetros Mecânicos

Diâmetro

150,0±0,2 mm

Grossura

350±25 μm

Orientação plana primária

[1-100]±5°

Comprimento plano primário

47,5±1,5mm

Apartamento secundário

Nenhum

TTV

≤5 μm

≤10 μm

≤15 μm

LTV

≤3 μm(5mm*5mm)

≤5 μm(5mm*5mm)

≤10 μm(5mm*5mm)

Arco

-15μm ~ 15μm

-35μm ~ 35μm

-45μm ~ 45μm

Urdidura

≤35 μm

≤45 μm

≤55 μm

Rugosidade frontal (Si-face) (AFM)

Ra≤0,2nm (5μm*5μm)

Estrutura

Densidade de microtubos

<1 ea/cm2

<10 ea/cm2

<15 ea/cm2

Impurezas metálicas

≤5E10átomos/cm2

NA

DBP

≤1500 ea/cm2

≤3000 ea/cm2

NA

TSD

≤500 ea/cm2

≤1000 ea/cm2

NA

Qualidade frontal

Frente

Si

Acabamento de superfície

CMP de face Si

Partículas

≤60ea/wafer (tamanho≥0,3μm)

NA

Arranhões

≤5ea/mm. Comprimento cumulativo ≤Diâmetro

Comprimento cumulativo≤2*Diâmetro

NA

Casca de laranja/caroços/manchas/estrias/rachaduras/contaminação

Nenhum

NA

Lascas/reentrâncias/fraturas/placas sextavadas nas bordas

Nenhum

Áreas politípicas

Nenhum

Área acumulada≤20%

Área acumulada≤30%

Marcação a laser frontal

Nenhum

Qualidade traseira

Acabamento traseiro

CMP face C

Arranhões

≤5ea/mm, comprimento cumulativo≤2*Diâmetro

NA

Defeitos traseiros (lascas/recortes nas bordas)

Nenhum

Rugosidade nas costas

Ra≤0,2nm (5μm*5μm)

Marcação a laser traseira

1 mm (da borda superior)

Borda

Borda

Chanfro

Embalagem

Embalagem

Epi-pronto com embalagem a vácuo

Embalagem cassete multi-wafer

*Observações: "NA" significa sem solicitação. Itens não mencionados podem referir-se ao SEMI-STD.

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Bolachas de SiC

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