O material de cristal único de carboneto de silício (SiC) tem uma grande largura de banda (~Si 3 vezes), alta condutividade térmica (~Si 3,3 vezes ou GaAs 10 vezes), alta taxa de migração de saturação de elétrons (~Si 2,5 vezes), alta quebra elétrica campo (~Si 10 vezes ou GaAs 5 vezes) e outras características excepcionais.
Os materiais semicondutores de terceira geração incluem principalmente SiC, GaN, diamante, etc., porque sua largura de banda larga (por exemplo) é maior ou igual a 2,3 elétron-volts (eV), também conhecidos como materiais semicondutores de banda larga. Em comparação com os materiais semicondutores de primeira e segunda geração, os materiais semicondutores de terceira geração têm as vantagens de alta condutividade térmica, alto campo elétrico de ruptura, alta taxa de migração de elétrons saturados e alta energia de ligação, que podem atender aos novos requisitos da tecnologia eletrônica moderna para alta temperatura, alta potência, alta pressão, alta frequência e resistência à radiação e outras condições adversas. Tem importantes perspectivas de aplicação nas áreas de defesa nacional, aviação, aeroespacial, exploração de petróleo, armazenamento óptico, etc., e pode reduzir a perda de energia em mais de 50% em muitas indústrias estratégicas, como comunicações de banda larga, energia solar, fabricação de automóveis, iluminação de semicondutores e rede inteligente, e pode reduzir o volume de equipamentos em mais de 75%, o que é de grande importância para o desenvolvimento da ciência e tecnologia humanas.
A energia Semicera pode fornecer aos clientes substrato de carboneto de silício condutivo (condutor), semi-isolante (semi-isolante), HPSI (semi-isolante de alta pureza) de alta qualidade; Além disso, podemos fornecer aos clientes folhas epitaxiais de carboneto de silício homogêneas e heterogêneas; Também podemos personalizar a folha epitaxial de acordo com as necessidades específicas dos clientes, não havendo quantidade mínima de pedido.
ESPECIFICAÇÕES DE WAFERING
*n-Pm=n-tipo Pm-Grau,n-Ps=n-tipo Ps-Grau,Sl=Semi-Isolante
| Item | 8 polegadas | 6 polegadas | 4 polegadas | ||
| nP | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
| TTV(GBIR) | ≤6um | ≤6um | |||
| Arco (GF3YFCD) - Valor Absoluto | ≤15μm | ≤15μm | ≤25μm | ≤15μm | |
| Urdidura (GF3YFER) | ≤25μm | ≤25μm | ≤40μm | ≤25μm | |
| LTV(SBIR)-10mmx10mm | <2μm | ||||
| Borda de wafer | Chanfrar | ||||
ACABAMENTO DE SUPERFÍCIE
*n-Pm=n-tipo Pm-Grau,n-Ps=n-tipo Ps-Grau,Sl=Semi-Isolante
| Item | 8 polegadas | 6 polegadas | 4 polegadas | ||
| nP | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
| Acabamento de superfície | Polonês óptico de dupla face, Si-Face CMP | ||||
| Rugosidade da Superfície | (10um x 10um) Si-FaceRa≤0,2nm Face C Ra≤ 0,5 nm | (5umx5um) Si-Face Ra≤0,2nm Face C Ra≤0,5nm | |||
| Fichas de borda | Nenhum permitido (comprimento e largura≥0,5 mm) | ||||
| Recuos | Nenhum permitido | ||||
| Arranhões (Si-Face) | Quantidade≤5, cumulativo Comprimento≤0,5×diâmetro do wafer | Quantidade≤5, cumulativo Comprimento≤0,5×diâmetro do wafer | Quantidade≤5, cumulativo Comprimento≤0,5×diâmetro do wafer | ||
| Rachaduras | Nenhum permitido | ||||
| Exclusão de borda | 3mm | ||||
