Substrato 4H-SiC tipo P fora de ângulo de 2 ~ 6 polegadas 4 °

Os substratos 4H-SiC tipo P fora de ângulo de 2 ~ 6 polegadas e 4 ° da Semicera são projetados para atender às necessidades crescentes de fabricantes de dispositivos de RF e energia de alto desempenho. A orientação fora do ângulo de 4° garante um crescimento epitaxial otimizado, tornando este substrato uma base ideal para uma variedade de dispositivos semicondutores, incluindo MOSFETs, IGBTs e diodos.

Este substrato 4H-SiC tipo P fora de ângulo de 2 a 6 polegadas e 4° tem excelentes propriedades de material, incluindo alta condutividade térmica, excelente desempenho elétrico e excelente estabilidade mecânica. A orientação fora do ângulo ajuda a reduzir a densidade do microtubo e promove camadas epitaxiais mais suaves, o que é fundamental para melhorar o desempenho e a confiabilidade do dispositivo semicondutor final.

Os substratos 4H-SiC tipo P fora de ângulo de 2 ~ 6 polegadas e 4 ° da Semicera estão disponíveis em uma variedade de diâmetros, variando de 2 polegadas a 6 polegadas, para atender a diferentes requisitos de fabricação. Nossos substratos são projetados com precisão para fornecer níveis de dopagem uniformes e características de superfície de alta qualidade, garantindo que cada wafer atenda às rigorosas especificações exigidas para aplicações eletrônicas avançadas.

O compromisso da Semicera com a inovação e a qualidade garante que nossos substratos 4H-SiC tipo P de 2 a 6 polegadas e 4° fora do ângulo ofereçam desempenho consistente em uma ampla gama de aplicações, desde eletrônica de potência até dispositivos de alta frequência. Este produto fornece uma solução confiável para a próxima geração de semicondutores de alto desempenho e eficiência energética, apoiando avanços tecnológicos em setores como automotivo, telecomunicações e energia renovável.