Substrato de alumínio plano M não polar de 10x10mm

Breve descrição:

Substrato de alumínio plano M não polar de 10x10mm– Ideal para aplicações optoeletrônicas avançadas, oferecendo qualidade cristalina superior e estabilidade em um formato compacto e de alta precisão.


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de SemíceraSubstrato de alumínio plano M não polar de 10x10mmfoi meticulosamente projetado para atender aos requisitos exatos de aplicações optoeletrônicas avançadas. Este substrato apresenta uma orientação de plano M não polar, que é crítica para reduzir os efeitos de polarização em dispositivos como LEDs e diodos laser, levando a melhor desempenho e eficiência.

OSubstrato de alumínio plano M não polar de 10x10mmé fabricado com qualidade cristalina excepcional, garantindo densidades mínimas de defeitos e integridade estrutural superior. Isto o torna a escolha ideal para o crescimento epitaxial de filmes de nitreto III de alta qualidade, que são essenciais para o desenvolvimento de dispositivos optoeletrônicos de próxima geração.

A engenharia de precisão da Semicera garante que cadaSubstrato de alumínio plano M não polar de 10x10mmoferece espessura consistente e planicidade de superfície, que são cruciais para a deposição uniforme do filme e a fabricação do dispositivo. Além disso, o tamanho compacto do substrato o torna adequado tanto para ambientes de pesquisa quanto de produção, permitindo uso flexível em diversas aplicações. Com a sua excelente estabilidade térmica e química, este substrato fornece uma base confiável para o desenvolvimento de tecnologias optoeletrônicas de ponta.

Unid

Produção

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Fictício

Parâmetros de Cristal

Politipo

4H

Erro de orientação de superfície

<11-20 >4±0,15°

Parâmetros Elétricos

Dopante

Nitrogênio tipo n

Resistividade

0,015-0,025ohm·cm

Parâmetros Mecânicos

Diâmetro

150,0±0,2 mm

Grossura

350±25 μm

Orientação plana primária

[1-100]±5°

Comprimento plano primário

47,5±1,5mm

Apartamento secundário

Nenhum

TTV

≤5 μm

≤10 μm

≤15 μm

LTV

≤3 μm(5mm*5mm)

≤5 μm(5mm*5mm)

≤10 μm(5mm*5mm)

Arco

-15μm ~ 15μm

-35μm ~ 35μm

-45μm ~ 45μm

Urdidura

≤35 μm

≤45 μm

≤55 μm

Rugosidade frontal (Si-face) (AFM)

Ra≤0,2nm (5μm*5μm)

Estrutura

Densidade de microtubos

<1 ea/cm2

<10 ea/cm2

<15 ea/cm2

Impurezas metálicas

≤5E10átomos/cm2

NA

DBP

≤1500 ea/cm2

≤3000 ea/cm2

NA

TSD

≤500 ea/cm2

≤1000 ea/cm2

NA

Qualidade frontal

Frente

Si

Acabamento de superfície

CMP de face Si

Partículas

≤60ea/wafer (tamanho≥0,3μm)

NA

Arranhões

≤5ea/mm. Comprimento cumulativo ≤Diâmetro

Comprimento cumulativo≤2*Diâmetro

NA

Casca de laranja/caroços/manchas/estrias/rachaduras/contaminação

Nenhum

NA

Lascas/reentrâncias/fraturas/placas sextavadas nas bordas

Nenhum

Áreas politípicas

Nenhum

Área acumulada≤20%

Área acumulada≤30%

Marcação a laser frontal

Nenhum

Qualidade traseira

Acabamento traseiro

CMP face C

Arranhões

≤5ea/mm, comprimento cumulativo≤2*Diâmetro

NA

Defeitos traseiros (lascas/recortes nas bordas)

Nenhum

Rugosidade nas costas

Ra≤0,2nm (5μm*5μm)

Marcação a laser traseira

1 mm (da borda superior)

Borda

Borda

Chanfro

Embalagem

Embalagem

Epi-pronto com embalagem a vácuo

Embalagem cassete multi-wafer

*Observações: "NA" significa sem solicitação. Itens não mencionados podem referir-se ao SEMI-STD.

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Bolachas de SiC

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