de SemíceraSubstrato de alumínio plano M não polar de 10x10mmfoi meticulosamente projetado para atender aos requisitos exatos de aplicações optoeletrônicas avançadas. Este substrato apresenta uma orientação de plano M não polar, que é crítica para reduzir os efeitos de polarização em dispositivos como LEDs e diodos laser, levando a melhor desempenho e eficiência.
OSubstrato de alumínio plano M não polar de 10x10mmé fabricado com qualidade cristalina excepcional, garantindo densidades mínimas de defeitos e integridade estrutural superior. Isto o torna a escolha ideal para o crescimento epitaxial de filmes de nitreto III de alta qualidade, que são essenciais para o desenvolvimento de dispositivos optoeletrônicos de próxima geração.
A engenharia de precisão da Semicera garante que cadaSubstrato de alumínio plano M não polar de 10x10mmoferece espessura consistente e planicidade de superfície, que são cruciais para a deposição uniforme do filme e a fabricação do dispositivo. Além disso, o tamanho compacto do substrato o torna adequado tanto para ambientes de pesquisa quanto de produção, permitindo uso flexível em diversas aplicações. Com a sua excelente estabilidade térmica e química, este substrato fornece uma base confiável para o desenvolvimento de tecnologias optoeletrônicas de ponta.
Unid | Produção | Pesquisar | Fictício |
Parâmetros de Cristal | |||
Politipo | 4H | ||
Erro de orientação de superfície | <11-20 >4±0,15° | ||
Parâmetros Elétricos | |||
Dopante | Nitrogênio tipo n | ||
Resistividade | 0,015-0,025ohm·cm | ||
Parâmetros Mecânicos | |||
Diâmetro | 150,0±0,2 mm | ||
Grossura | 350±25 μm | ||
Orientação plana primária | [1-100]±5° | ||
Comprimento plano primário | 47,5±1,5mm | ||
Apartamento secundário | Nenhum | ||
TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
LTV | ≤3 μm(5mm*5mm) | ≤5 μm(5mm*5mm) | ≤10 μm(5mm*5mm) |
Arco | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
Urdidura | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
Rugosidade frontal (Si-face) (AFM) | Ra≤0,2nm (5μm*5μm) | ||
Estrutura | |||
Densidade de microtubos | <1 ea/cm2 | <10 ea/cm2 | <15 ea/cm2 |
Impurezas metálicas | ≤5E10átomos/cm2 | NA | |
DBP | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
TSD | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
Qualidade frontal | |||
Frente | Si | ||
Acabamento de superfície | CMP de face Si | ||
Partículas | ≤60ea/wafer (tamanho≥0,3μm) | NA | |
Arranhões | ≤5ea/mm. Comprimento cumulativo ≤Diâmetro | Comprimento cumulativo≤2*Diâmetro | NA |
Casca de laranja/caroços/manchas/estrias/rachaduras/contaminação | Nenhum | NA | |
Lascas/reentrâncias/fraturas/placas sextavadas nas bordas | Nenhum | ||
Áreas politípicas | Nenhum | Área acumulada≤20% | Área acumulada≤30% |
Marcação a laser frontal | Nenhum | ||
Qualidade traseira | |||
Acabamento traseiro | CMP face C | ||
Arranhões | ≤5ea/mm, comprimento cumulativo≤2*Diâmetro | NA | |
Defeitos traseiros (lascas/recortes nas bordas) | Nenhum | ||
Rugosidade nas costas | Ra≤0,2nm (5μm*5μm) | ||
Marcação a laser traseira | 1 mm (da borda superior) | ||
Borda | |||
Borda | Chanfro | ||
Embalagem | |||
Embalagem | Epi-pronto com embalagem a vácuo Embalagem cassete multi-wafer | ||
*Observações: "NA" significa sem solicitação. Itens não mencionados podem referir-se ao SEMI-STD. |