Braço cerâmico para equipamentos semicondutores de carboneto de silício

Pequena descrição:

WeiTai Energy Technology Co., Ltd. é um fornecedor líder especializado em wafer e consumíveis semicondutores avançados.Estamos empenhados em fornecer produtos de alta qualidade, confiáveis e inovadores para fabricação de semicondutores,indústria fotovoltaicae outros campos relacionados.

Nossa linha de produtos inclui produtos de grafite revestidos com SiC/TaC e produtos cerâmicos, abrangendo vários materiais como carboneto de silício, nitreto de silício e óxido de alumínio e etc.

Como fornecedor confiável, entendemos a importância dos consumíveis no processo de fabricação e estamos comprometidos em fornecer produtos que atendam aos mais altos padrões de qualidade para atender às necessidades de nossos clientes.

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O carboneto de silício é um novo tipo de cerâmica com alto desempenho de custo e excelentes propriedades de material.Devido a características como alta resistência e dureza, resistência a altas temperaturas, grande condutividade térmica e resistência à corrosão química, o carboneto de silício pode suportar quase todos os meios químicos.Portanto, o SiC é amplamente utilizado na mineração de petróleo, na indústria química, em máquinas e no espaço aéreo, até mesmo a energia nuclear e os militares têm suas demandas especiais no SIC.Algumas aplicações normais que podemos oferecer são anéis de vedação para bombas, válvulas e armaduras de proteção, etc.

Somos capazes de projetar e fabricar de acordo com suas dimensões específicas com boa qualidade e prazo de entrega razoável.

Características e vantagens

1. Dimensões precisas e estabilidade térmica

2.Alta rigidez específica e excelente uniformidade térmica, o uso a longo prazo não é fácil de dobrar a deformação;

3.Tem uma superfície lisa e boa resistência ao desgaste, manuseando assim o chip com segurança, sem contaminação por partículas.

4.Resistividade de carboneto de silício em 106-108Ω, não magnético, em linha com os requisitos de especificação anti-ESD;Pode evitar o acúmulo de eletricidade estática na superfície do chip

5.Boa condutividade térmica, baixo coeficiente de expansão.